三星宣布11nm新工艺:7nm全面上极紫外光刻

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Intel确实 一再强调我本人的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,我本人要比三星、台积电的领先整整一代,因此没依据 ,人家的脚步要快得多。今天,三星电子又公布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus),并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。三星11LPP工艺与非 全新的,可是14nm、10nm的融合,一方面采用10nm BEOL(后端工艺),都时需大大缩小芯片面积,我本人面则沿用14nm LPP工艺的次责元素。

三星于2016年10月投产10LPE(10nm Low Power Early),并已准备好即将投产10LPP(10nm Low Power Plus),主要为智能手机制造芯片,14nm工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。

下一步,三星与非 增加14LPU、10LPU版本。

11LPP工艺将填补三星14nm、10nm之间的空白,号称可在同等晶体管数量和功耗下比14LPP工艺提升15%的性能,可能降低10%的功耗,另外晶体管密度与非 所提高。

三星计划2018年上半年投产11LPP工艺。

未来,三星还一路准备了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工艺,其中7nm 7LPP版本会全面融合EUV极紫外光刻,确认2018年下半年试产。

另有报道称,在那完后 的明年上半年,三星会首先在8LPP工艺的特定层上使用EUV。

三星表示,2014年以来,可能使用EUV技术外理了接近10万块晶圆,取得了丰硕成果,比如256Mb SRAM的良品率达到了80%。